Muchos productos semiconductores, durante su proceso de producción, necesitan añadir polvo de grafito para mejorar su rendimiento. Para su uso en productos semiconductores, el polvo de grafito debe ser de alta pureza, granulometría fina y resistente a altas temperaturas. Solo si cumple con estos requisitos, podrá utilizarse en productos semiconductores sin efectos negativos. A continuación, se detallan las condiciones de uso del polvo de grafito en semiconductores.
Polvo de grafito
1. La producción de semiconductores requiere la elección de polvo de grafito de alta pureza.
La industria de semiconductores tiene una alta demanda de materiales de grafito en polvo, por lo que cuanto mayor sea la pureza, mejor. Especialmente cuando los componentes de grafito entran en contacto directo con el material semiconductor, como en el molde de sinterización, el contenido de impurezas contamina el material semiconductor. Por lo tanto, no solo se debe controlar estrictamente la pureza de las materias primas del grafito, sino que también se debe, mediante un tratamiento de grafitización a alta temperatura, reducir al mínimo el contenido de cenizas.
2. La producción de semiconductores requiere la elección de polvo de grafito de gran tamaño de partícula.
El material de grafito para la industria de semiconductores requiere un tamaño de partícula fino; el grafito de partículas finas no solo facilita la precisión del procesamiento, sino que también presenta alta resistencia a la temperatura y bajas pérdidas, especialmente para moldes de sinterización que requieren una alta precisión de procesamiento.
3. La producción de semiconductores requiere la elección de polvo de grafito de alta temperatura.
Debido a que los dispositivos de grafito utilizados en la industria de semiconductores (incluidos calentadores y matrices de sinterización) deben soportar repetidos procesos de calentamiento y enfriamiento, para mejorar la vida útil de los dispositivos de grafito, se utilizan materiales de grafito a alta temperatura con buena estabilidad dimensional y buen rendimiento ante impactos térmicos.
Fecha de publicación: 26 de noviembre de 2021