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I filmi di grafite à nanoscala (NGF) sò nanumateriali robusti chì ponu esse prudutti per deposizione chimica di vapore cataliticu, ma fermanu dumande nantu à a so facilità di trasferimentu è cumu a morfologia di a superficia affetta u so usu in i dispositivi di prossima generazione. Quì riportemu a crescita di NGF da i dui lati di una lamina di nichel policristallinu (area 55 cm2, spessore circa 100 nm) è u so trasferimentu senza polimeri (fronte è retro, area finu à 6 cm2). A causa di a morfologia di a lamina di catalizzatore, i dui filmi di carbone differiscenu in e so proprietà fisiche è altre caratteristiche (cum'è a rugosità di a superficia). Dimostremu chì l'NGF cù una parte posteriore più ruvida sò adatti per a rilevazione di NO2, mentre chì l'NGF più lisci è più conduttivi nantu à a parte anteriore (2000 S/cm, resistenza di a lamina - 50 ohm/m2) ponu esse cunduttori viabili. canale o elettrodu di a cellula solare (postu chì trasmette u 62% di a luce visibile). In generale, i prucessi di crescita è di trasportu descritti ponu aiutà à realizà NGF cum'è un materiale di carbone alternativu per applicazioni tecnologiche induve u grafene è i filmi di grafite di spessore micron ùn sò micca adatti.
A grafite hè un materiale industriale largamente utilizatu. In particulare, a grafite hà e proprietà di una densità di massa relativamente bassa è di una alta cunduttività termica è elettrica in u pianu, è hè assai stabile in ambienti termichi è chimichi difficili1,2. A grafite in scaglie hè un materiale di partenza ben cunnisciutu per a ricerca nantu à u grafene3. Quandu hè trasfurmata in film sottili, pò esse aduprata in una vasta gamma di applicazioni, cumpresi i dissipatori di calore per i dispositivi elettronichi cum'è i smartphones4,5,6,7, cum'è materiale attivu in i sensori8,9,10 è per a prutezzione da l'interferenze elettromagnetiche11.12 è i filmi per a litografia in l'ultraviolettu estremu13,14, i canali cunduttori in e cellule solari15,16. Per tutte queste applicazioni, seria un vantaghju significativu se grandi zone di filmi di grafite (NGF) cù spessori cuntrullati in a nanoscala <100 nm puderianu esse facilmente prodotte è trasportate.
I filmi di grafite sò prudutti cù diversi metudi. In un casu, l'inclusione è l'espansione seguitate da l'esfoliazione sò state aduprate per pruduce fiocchi di grafene10,11,17. I fiocchi devenu esse ulteriormente trasfurmati in filmi di u spessore necessariu, è spessu ci vole parechji ghjorni per pruduce fogli di grafite densi. Un altru approcciu hè di cumincià cù precursori solidi grafitabili. In l'industria, i fogli di polimeri sò carbonizzati (à 1000-1500 °C) è poi grafitizzati (à 2800-3200 °C) per furmà materiali stratificati ben strutturati. Ancu s'è a qualità di sti filmi hè alta, u cunsumu energeticu hè significativu1,18,19 è u spessore minimu hè limitatu à pochi micron1,18,19,20.
A deposizione chimica catalitica da vapore (CVD) hè un metudu ben cunnisciutu per a pruduzzione di filmi di grafene è di grafite ultrasottile (<10 nm) cù alta qualità strutturale è un costu raghjonevule21,22,23,24,25,26,27. Tuttavia, paragunatu à a crescita di filmi di grafene è di grafite ultrasottile28, a crescita su grande superficie è/o l'applicazione di NGF cù CVD hè ancu menu esplorata11,13,29,30,31,32,33.
I filmi di grafene è grafite cresciuti per CVD anu spessu bisognu di esse trasferiti nantu à substrati funziunali34. Quessi trasferimenti di film sottili implicanu dui metudi principali35: (1) trasferimentu senza incisione36,37 è (2) trasferimentu chimicu umitu basatu nantu à incisione (substratu supportatu)14,34,38. Ogni metudu hà qualchi vantaghji è svantaghji è deve esse sceltu secondu l'applicazione prevista, cum'è descrittu in altrò35,39. Per i filmi di grafene/grafite cresciuti nantu à substrati catalitici, u trasferimentu via prucessi chimichi umidi (di i quali u polimetilmetacrilatu (PMMA) hè u stratu di supportu più cumunamente utilizatu) ferma a prima scelta13,30,34,38,40,41,42. You et al. Hè statu mintuvatu chì nisun polimeru hè statu utilizatu per u trasferimentu di NGF (dimensione di u campione circa 4 cm2)25,43, ma ùn sò stati furniti dettagli riguardu à a stabilità è/o a manipulazione di u campione durante u trasferimentu; I prucessi di chimica umida chì utilizanu polimeri consistenu in parechji passi, cumprese l'applicazione è a successiva rimozione di un stratu di polimeru sacrificale30,38,40,41,42. Stu prucessu hà svantaghji: per esempiu, i residui di polimeri ponu cambià e proprietà di u film cresciutu38. Un trattamentu supplementu pò rimuovere u polimeru residuale, ma questi passi supplementari aumentanu u costu è u tempu di pruduzzione di u film38,40. Durante a crescita CVD, un stratu di grafene hè depositatu micca solu nantu à a parte anteriore di a lamina di catalizatore (u latu chì guarda u flussu di vapore), ma ancu nantu à a so parte posteriore. Tuttavia, quest'ultima hè cunsiderata un pruduttu di scarto è pò esse eliminata rapidamente da plasma dolce38,41. U riciclaggio di stu film pò aiutà à massimizà u rendimentu, ancu s'ellu hè di qualità inferiore à u film di carbone frontale.
Quì, riportemu a preparazione di a crescita bifaciale à scala di wafer di NGF cù alta qualità strutturale nantu à una foglia di nichel policristallina per CVD. Hè statu valutatu cumu a rugosità di a superficia anteriore è posteriore di a foglia affetta a morfologia è a struttura di NGF. Dimostremu ancu un trasferimentu senza polimeri di NGF à bon pattu è rispettuosu di l'ambiente da i dui lati di a foglia di nichel nantu à substrati multifunzionali è mostremu cumu i filmi anteriori è posteriori sò adatti per varie applicazioni.
E sezzioni seguenti discutenu diversi spessori di film di grafite secondu u numeru di strati di grafene impilati: (i) grafene à un solu stratu (SLG, 1 stratu), (ii) grafene à pochi strati (FLG, < 10 strati), (iii) grafene multistratu (MLG, 10-30 strati) è (iv) NGF (~ 300 strati). Quest'ultimu hè u spessore più cumunu espressu cum'è percentuale di l'area (circa 97% di l'area per 100 µm2)30. Hè per quessa chì tuttu u film hè chjamatu simplicemente NGF.
I fogli di nichel policristallini utilizati per a sintesi di filmi di grafene è grafite anu texture diverse per via di a so fabricazione è di a so trasfurmazione successiva. Avemu recentemente riportatu un studiu per ottimizà u prucessu di crescita di NGF30. Mostremu chì i parametri di prucessu cum'è u tempu di ricottura è a pressione di a camera durante a fase di crescita ghjocanu un rolu criticu per ottene NGF di spessore uniforme. Quì, avemu investigatu ulteriormente a crescita di NGF nantu à e superfici anteriori lucidate (FS) è posteriori non lucidate (BS) di u fogliu di nichel (Fig. 1a). Trè tippi di campioni FS è BS sò stati esaminati, elencati in a Tabella 1. À l'ispezione visuale, a crescita uniforme di NGF nantu à i dui lati di u fogliu di nichel (NiAG) pò esse vista da u cambiamentu di culore di u sustratu di Ni in massa da un grisgiu argentu metallicu caratteristicu à un culore grisgiu opaco (Fig. 1a); e misurazioni microscopiche sò state cunfirmate (Fig. 1b, c). Un spettru Raman tipicu di FS-NGF osservatu in a regione luminosa è indicatu da frecce rosse, blu è aranciu in a Figura 1b hè mostratu in a Figura 1c. I picchi Raman caratteristici di a grafite G (1683 cm−1) è 2D (2696 cm−1) cunfermanu a crescita di NGF altamente cristallinu (Fig. 1c, Tavula SI1). In tuttu u filmu, hè stata osservata una predominanza di spettri Raman cù un rapportu d'intensità (I2D/IG) ~0.3, mentre chì i spettri Raman cù I2D/IG = 0.8 sò stati raramente osservati. L'assenza di picchi difettosi (D = 1350 cm-1) in tuttu u filmu indica l'alta qualità di a crescita di NGF. Risultati Raman simili sò stati ottenuti nantu à u campione BS-NGF (Figura SI1 a è b, Tavula SI1).
Paragone di NiAG FS- è BS-NGF: (a) Fotografia di un campione tipicu di NGF (NiAG) chì mostra a crescita di NGF à scala di wafer (55 cm2) è i campioni di foglia BS- è FS-Ni risultanti, (b) Immagini FS-NGF/Ni ottenute da un microscopiu otticu, (c) spettri Raman tipici registrati in diverse pusizioni in u pannellu b, (d, f) Immagini SEM à diversi ingrandimenti nantu à FS-NGF/Ni, (e, g) Immagini SEM à diversi ingrandimenti Imposta BS -NGF/Ni. A freccia blu indica a regione FLG, a freccia arancione indica a regione MLG (vicinu à a regione FLG), a freccia rossa indica a regione NGF, è a freccia magenta indica a piega.
Siccomu a crescita dipende da u spessore di u sustratu iniziale, a dimensione di u cristallu, l'orientazione è i limiti di i grani, ottene un cuntrollu raghjonevule di u spessore di NGF nantu à grandi zone ferma una sfida20,34,44. Stu studiu hà utilizatu cuntenutu chì avemu publicatu prima30. Stu prucessu produce una regione luminosa da 0,1 à 3% per 100 µm230. In e sezioni seguenti, presentemu i risultati per i dui tipi di regioni. L'imaghjini SEM à altu ingrandimentu mostranu a presenza di parechje zone di cuntrastu luminosu da i dui lati (Fig. 1f,g), chì indicanu a presenza di regioni FLG è MLG30,45. Questu hè statu ancu cunfirmatu da a diffusione Raman (Fig. 1c) è i risultati TEM (discussi più tardi in a sezione "FS-NGF: struttura è proprietà"). E regioni FLG è MLG osservate nantu à i campioni FS- è BS-NGF/Ni (NGF anteriore è posteriore cresciutu nantu à Ni) puderanu esse cresciute nantu à grandi grani di Ni(111) furmati durante a pre-ricottura22,30,45. U pieghe hè statu osservatu da i dui lati (Fig. 1b, marcata cù frecce viola). Queste pieghe si trovanu spessu in i filmi di grafene è grafite cresciuti per CVD per via di a grande differenza in u coefficientu di dilatazione termica trà a grafite è u substratu di nichel30,38.
L'imagine AFM hà cunfirmatu chì u campione FS-NGF era più pianu chè u campione BS-NGF (Figura SI1) (Figura SI2). I valori di rugosità quadratica media (RMS) di FS-NGF/Ni (Fig. SI2c) è BS-NGF/Ni (Fig. SI2d) sò 82 è 200 nm, rispettivamente (misurati annantu à una superficia di 20 × 20 μm2). A rugosità più alta pò esse capita in basa à l'analisi di a superficia di a foglia di nichel (NiAR) in u statu ricevutu (Figura SI3). L'imagine SEM di FS è BS-NiAR sò mostrate in e Figure SI3a-d, dimustrendu diverse morfologie di superficia: a foglia FS-Ni lucidata hà particelle sferiche di dimensioni nano è micron, mentre chì a foglia BS-Ni non lucidata presenta una scala di pruduzzione. cum'è particelle cù alta resistenza. è declinu. L'imagine à bassa è alta risoluzione di a foglia di nichel ricotta (NiA) sò mostrate in a Figura SI3e-h. In queste figure, pudemu osservà a presenza di parechje particelle di nichel di dimensioni microniche da i dui lati di a foglia di nichel (Fig. SI3e-h). I grani grossi ponu avè una orientazione superficiale Ni(111), cum'è riportatu prima30,46. Ci sò differenze significative in a morfologia di a foglia di nichel trà FS-NiA è BS-NiA. A più alta rugosità di BS-NGF/Ni hè dovuta à a superficia non lucidata di BS-NiAR, a superficia di a quale ferma significativamente ruvida ancu dopu a ricottura (Figura SI3). Stu tipu di caratterizazione di a superficia prima di u prucessu di crescita permette di cuntrullà a rugosità di i filmi di grafene è grafite. Ci vole à nutà chì u sustratu originale hà subitu una certa riurganizazione di i grani durante a crescita di u grafene, chì hà diminuitu ligeramente a dimensione di i grani è hà aumentatu un pocu a rugosità superficiale di u sustratu paragunatu à a foglia ricotta è u filmu di catalizatore22.
L'aghjustamentu fine di a rugosità di a superficia di u sustratu, u tempu di ricottura (dimensione di i grani)30,47 è u cuntrollu di u rilasciu43 aiuteranu à riduce l'uniformità regiunale di u spessore di l'NGF à a scala µm2 è/o ancu nm2 (vale à dì, variazioni di spessore di pochi nanometri). Per cuntrullà a rugosità di a superficia di u sustratu, si ponu cunsiderà metudi cum'è a lucidatura elettrolitica di a lamina di nichel risultante48. A lamina di nichel pretrattata pò esse poi ricotta à una temperatura più bassa (< 900 °C)46 è un tempu (< 5 min) per evità a furmazione di grandi grani di Ni(111) (chì hè beneficu per a crescita di FLG).
U grafene SLG è FLG ùn hè micca capace di sustene a tensione superficiale di l'acidi è di l'acqua, ciò chì richiede strati di supportu meccanicu durante i prucessi di trasferimentu chimicu umitu22,34,38. In cuntrastu cù u trasferimentu chimicu umitu di u grafene à stratu unicu supportatu da polimeri38, avemu trovu chì i dui lati di l'NGF appena cresciutu ponu esse trasferiti senza supportu polimericu, cum'è mostratu in a Figura 2a (vede a Figura SI4a per più dettagli). U trasferimentu di NGF à un sustratu datu principia cù l'incisione umida di u film Ni30.49 sottostante. I campioni NGF/Ni/NGF cresciuti sò stati posti durante a notte in 15 mL di 70% HNO3 diluitu cù 600 mL d'acqua deionizzata (DI). Dopu chì a lamina di Ni hè cumpletamente dissolta, FS-NGF ferma pianu è galleggia nantu à a superficia di u liquidu, cum'è u campione NGF/Ni/NGF, mentre chì BS-NGF hè immersu in acqua (Fig. 2a,b). L'NGF isulatu hè statu dopu trasferitu da un becher chì cuntene acqua fresca deionizzata à un altru becher è l'NGF isulatu hè statu lavatu accuratamente, ripetendu da quattru à sei volte attraversu u piattu di vetru concavu. Infine, FS-NGF è BS-NGF sò stati posti nantu à u sustratu desideratu (Fig. 2c).
Prucessu di trasferimentu chimicu umitu senza polimeri per NGF cresciutu nantu à foglia di nichel: (a) Diagramma di flussu di u prucessu (vede a Figura SI4 per più dettagli), (b) Fotografia digitale di NGF separatu dopu a incisione di Ni (2 campioni), (c) Esempiu FS - è trasferimentu BS-NGF à substratu SiO2/Si, (d) Trasferimentu FS-NGF à substratu polimeru opaco, (e) BS-NGF da u listessu campione cum'è u pannellu d (divisu in duie parti), trasferitu à carta C placcata in oru è Nafion (substratu trasparente flessibile, bordi marcati cù anguli rossi).
Nutate bè chì u trasferimentu SLG realizatu cù metudi di trasferimentu chimicu umitu richiede un tempu di trasfurmazione tutale di 20-24 ore 38. Cù a tecnica di trasferimentu senza polimeri dimustrata quì (Figura SI4a), u tempu di trasfurmazione tutale di u trasferimentu NGF hè significativamente riduttu (circa 15 ore). U prucessu si compone di: (Passu 1) Preparate una suluzione di incisione è mette u campione in questu (~ 10 minuti), poi aspettate tutta a notte per l'incisione di Ni (~ 7200 minuti), (Passu 2) Risciacquate cù acqua deionizzata (Passu - 3). Conservate in acqua deionizzata o trasferite à u substratu di destinazione (20 min). L'acqua intrappulata trà l'NGF è a matrice di massa hè eliminata per azione capillare (usendu carta assorbente) 38, poi e gocce d'acqua rimanenti sò eliminate per asciugatura naturale (circa 30 min), è infine u campione hè asciugatu per 10 min. min in un fornu à vuoto (10-1 mbar) à 50-90 °C (60 min) 38.
A grafite hè cunnisciuta per resiste à a presenza di l'acqua è di l'aria à temperature abbastanza elevate (≥ 200 °C)50,51,52. Avemu testatu i campioni utilizendu a spettroscopia Raman, SEM è XRD dopu a so conservazione in acqua deionizzata à temperatura ambiente è in buttiglie sigillate per un periodu da pochi ghjorni à un annu (Figura SI4). Ùn ci hè nisuna degradazione notevule. A Figura 2c mostra FS-NGF è BS-NGF indipendenti in acqua deionizzata. Li avemu catturati nantu à un substratu SiO2 (300 nm)/Si, cum'è mostratu à l'iniziu di a Figura 2c. Inoltre, cum'è mostratu in a Figura 2d,e, l'NGF cuntinuu pò esse trasferitu à vari substrati cum'è polimeri (poliammide Thermabright da Nexolve è Nafion) è carta carbone rivestita d'oru. L'FS-NGF flottante hè statu facilmente piazzatu nantu à u substratu di destinazione (Fig. 2c, d). Tuttavia, i campioni BS-NGF più grandi di 3 cm2 eranu difficiuli da manighjà quandu eranu cumpletamente immersi in acqua. Di solitu, quand'elli cumincianu à vultulà in acqua, per via di una manipulazione imprudente, qualchì volta si rompenu in duie o trè parti (Fig. 2e). In generale, simu stati capaci di ottene un trasferimentu senza polimeri di PS- è BS-NGF (trasferimentu cuntinuu senza soluzione di continuità senza crescita NGF/Ni/NGF à 6 cm2) per campioni finu à 6 è 3 cm2 di superficia, rispettivamente. Ogni pezzu grande o chjucu restante pò esse (facilmente visibile in a soluzione di incisione o in acqua deionizzata) nantu à u sustratu desideratu (~1 mm2, Figura SI4b, vede u campione trasferitu à a griglia di rame cum'è in "FS-NGF: Struttura è Proprietà (discussu) sottu "Struttura è Proprietà") o almacenatu per un usu futuru (Figura SI4). Basatu annantu à questu criteriu, stimimu chì NGF pò esse recuperatu in rese finu à u 98-99% (dopu a crescita per u trasferimentu).
I campioni di trasferimentu senza polimeru sò stati analizati in dettagliu. E caratteristiche morfologiche di a superficia ottenute nantu à FS- è BS-NGF/SiO2/Si (Fig. 2c) utilizendu a microscopia ottica (OM) è l'imaghjini SEM (Fig. SI5 è Fig. 3) anu dimustratu chì questi campioni sò stati trasferiti senza microscopia. Danni strutturali visibili cum'è crepe, buchi o zone srotolate. E pieghe nantu à u NGF in crescita (Fig. 3b, d, marcate da frecce viola) sò rimaste intatte dopu u trasferimentu. Sia l'NGF FS sia quelli BS sò cumposti da regioni FLG (regioni luminose indicate da frecce blu in a Figura 3). Sorprendentemente, in cuntrastu cù e poche regioni danneggiate tipicamente osservate durante u trasferimentu di polimeri di film di grafite ultrasottili, parechje regioni FLG è MLG di dimensioni micron chì si cunnettanu à l'NGF (marcate da frecce blu in a Figura 3d) sò state trasferite senza crepe o rotture (Figura 3d). 3). L'integrità meccanica hè stata ulteriormente cunfirmata aduprendu immagini TEM è SEM di NGF trasferitu nantu à griglie di rame in carbone-lace, cum'è discussu dopu ("FS-NGF: Struttura è Proprietà"). U BS-NGF/SiO2/Si trasferitu hè più ruvidu di FS-NGF/SiO2/Si cù valori rms di 140 nm è 17 nm, rispettivamente, cum'è mostratu in a Figura SI6a è b (20 × 20 μm2). U valore RMS di NGF trasferitu nantu à u substratu SiO2/Si (RMS < 2 nm) hè significativamente più bassu (circa 3 volte) di quellu di NGF cresciutu nantu à Ni (Figura SI2), chì indica chì a rugosità supplementaria pò currisponde à a superficia di Ni. Inoltre, l'imaghjini AFM realizate nantu à i bordi di i campioni FS- è BS-NGF/SiO2/Si anu mostratu spessori NGF di 100 è 80 nm, rispettivamente (Fig. SI7). U spessore più chjucu di BS-NGF pò esse u risultatu di a superficia chì ùn hè micca direttamente esposta à u gasu precursore.
NGF (NiAG) trasferitu senza polimeru nantu à una cialda SiO2/Si (vede a Figura 2c): (a,b) Immagini SEM di FS-NGF trasferitu: ingrandimentu bassu è altu (currispondente à u quadratu aranciu in u pannellu). Aree tipiche) – a). (c,d) Immagini SEM di BS-NGF trasferitu: ingrandimentu bassu è altu (currispondente à l'area tipica mostrata da u quadratu aranciu in u pannellu c). (e, f) Immagini AFM di FS- è BS-NGF trasferiti. A freccia blu rapprisenta a regione FLG - cuntrastu luminosu, a freccia cianu - cuntrastu MLG neru, a freccia rossa - u cuntrastu neru rapprisenta a regione NGF, a freccia magenta rapprisenta a piega.
A cumpusizione chimica di i FS- è BS-NGF cresciuti è trasferiti hè stata analizata per spettroscopia fotoelettronica à raggi X (XPS) (Fig. 4). Un piccu debule hè statu osservatu in i spettri misurati (Fig. 4a, b), currispondente à u sustratu di Ni (850 eV) di i FS- è BS-NGF cresciuti (NiAG). Ùn ci sò micca picchi in i spettri misurati di FS- è BS-NGF/SiO2/Si trasferiti (Fig. 4c; risultati simili per BS-NGF/SiO2/Si ùn sò micca mostrati), chì indica chì ùn ci hè micca contaminazione residuale di Ni dopu u trasferimentu. E figure 4d-f mostranu i spettri à alta risoluzione di i livelli di energia C 1 s, O 1 s è Si 2p di FS-NGF/SiO2/Si. L'energia di legame di C 1 s di grafite hè 284,4 eV53,54. A forma lineare di i picchi di grafite hè generalmente cunsiderata asimmetrica, cum'è mostratu in a Figura 4d54. U spettru C 1 s à livellu core d'alta risoluzione (Fig. 4d) hà ancu cunfirmatu u trasferimentu puru (vale à dì, senza residui di polimeri), chì hè coerente cù studii precedenti38. E larghezze di linea di i spettri C 1 s di u campione appena cresciutu (NiAG) è dopu u trasferimentu sò 0,55 è 0,62 eV, rispettivamente. Questi valori sò più alti di quelli di SLG (0,49 eV per SLG nantu à un substratu SiO2)38. Tuttavia, questi valori sò più chjuchi di e larghezze di linea riportate prima per campioni di grafene piroliticu altamente orientati (~0,75 eV)53,54,55, chì indicanu l'assenza di siti di carbone difettosi in u materiale attuale. I spettri C 1 s è O 1 s à livellu di u terrenu mancanu ancu di spalle, eliminendu a necessità di deconvoluzione di piccu d'alta risoluzione54. Ci hè un piccu satellitare π → π* intornu à 291,1 eV, chì hè spessu osservatu in campioni di grafite. I signali di 103 eV è 532,5 eV in i spettri di livellu core Si 2p è O 1 s (vede Fig. 4e, f) sò attribuiti rispettivamente à u substratu SiO2 56. L'XPS hè una tecnica sensibile à a superficia, dunque si presume chì i signali currispondenti à Ni è SiO2 rilevati prima è dopu u trasferimentu di NGF, rispettivamente, sianu originati da a regione FLG. Risultati simili sò stati osservati per i campioni BS-NGF trasferiti (micca mostrati).
Risultati NiAG XPS: (ac) Spettri di rilevamentu di diverse cumpusizioni atomiche elementari di FS-NGF/Ni cresciutu, BS-NGF/Ni è FS-NGF/SiO2/Si trasferitu, rispettivamente. (d-f) Spettri ad alta risoluzione di i livelli principali C 1 s, O 1s è Si 2p di u campione FS-NGF/SiO2/Si.
A qualità generale di i cristalli NGF trasferiti hè stata valutata cù a diffrazione di raggi X (XRD). I mudelli XRD tipici (Fig. SI8) di FS- è BS-NGF/SiO2/Si trasferiti mostranu a presenza di picchi di diffrazione (0 0 0 2) è (0 0 0 4) à 26,6° è 54,7°, simile à a grafite. . Questu cunfirma l'alta qualità cristallina di NGF è currisponde à una distanza interstrata di d = 0,335 nm, chì hè mantenuta dopu à a tappa di trasferimentu. L'intensità di u piccu di diffrazione (0 0 0 2) hè circa 30 volte quella di u piccu di diffrazione (0 0 0 4), chì indica chì u pianu cristallinu NGF hè ben allinatu cù a superficia di u campione.
Sicondu i risultati di SEM, spettroscopia Raman, XPS è XRD, a qualità di BS-NGF/Ni hè stata trovata a listessa chè quella di FS-NGF/Ni, ancu s'è a so rugosità rms era ligeramente più alta (Figure SI2, SI5) è SI7).
I SLG cù strati di supportu polimericu finu à 200 nm di spessore ponu galleggià nantu à l'acqua. Questa cunfigurazione hè cumunamente aduprata in i prucessi di trasferimentu chimicu umitu assistiti da polimeri22,38. U grafene è a grafite sò idrofobi (angulu umitu 80-90°) 57. E superfici di energia potenziale di u grafene è di u FLG sò state segnalate cum'è abbastanza piatte, cù una bassa energia potenziale (~ 1 kJ / mol) per u muvimentu laterale di l'acqua à a superficia58. Tuttavia, l'energie d'interazione calculate di l'acqua cù u grafene è trè strati di grafene sò circa - 13 è - 15 kJ / mol,58 rispettivamente, ciò chì indica chì l'interazione di l'acqua cù NGF (circa 300 strati) hè più bassa paragunata à u grafene. Questa pò esse una di e ragioni per chì u NGF indipendente ferma pianu nantu à a superficia di l'acqua, mentre chì u grafene indipendente (chì galleggia in acqua) si arriccia è si rompe. Quandu u NGF hè cumpletamente immersu in acqua (i risultati sò listessi per u NGF ruvidu è pianu), i so bordi si pieganu (Figura SI4). In casu d'immersione cumpleta, si prevede chì l'energia d'interazzione NGF-acqua sia guasi radduppiata (paragunatu à l'NGF flottante) è chì i bordi di l'NGF si pieghinu per mantene un angulu di cuntattu altu (idrofobicità). Credemu chì si ponu sviluppà strategie per evità l'arricciatura di i bordi di l'NGF incrustati. Un approcciu hè di utilizà solventi mischiati per modulà a reazione di bagnatura di u film di grafite59.
U trasferimentu di SLG à diversi tipi di substrati per via di prucessi di trasferimentu chimicu umitu hè statu digià signalatu. Hè generalmente accettatu chì esistenu forze debuli di van der Waals trà i filmi di grafene/grafite è i substrati (ch'elli sianu substrati rigidi cum'è SiO2/Si38,41,46,60, SiC38, Au42, pilastri di Si22 è filmi di carbone di pizzo30, 34 o substrati flessibili cum'è a poliimmide 37). Quì supponemu chì l'interazzione di u listessu tipu predomina. Ùn avemu micca osservatu alcun dannu o sfaldatura di NGF per alcunu di i substrati presentati quì durante a manipulazione meccanica (durante a caratterizazione sottu u vacuum è/o cundizioni atmosferiche o durante u almacenamentu) (per esempiu, Figura 2, SI7 è SI9). Inoltre, ùn avemu micca osservatu un piccu SiC in u spettru XPS C 1 s di u livellu core di u campione NGF/SiO2/Si (Fig. 4). Quessi risultati indicanu chì ùn ci hè micca un ligame chimicu trà NGF è u substratu di destinazione.
In a sezzione precedente, "Trasferimentu senza polimeri di FS- è BS-NGF", avemu dimustratu chì NGF pò cresce è trasferisce da i dui lati di a foglia di nichel. Quessi FS-NGF è BS-NGF ùn sò micca identichi in termini di rugosità superficiale, ciò chì ci hà incitatu à esplorà l'applicazioni più adatte per ogni tipu.
Cunsiderendu a trasparenza è a superficia più liscia di FS-NGF, avemu studiatu a so struttura lucale, e proprietà ottiche è elettriche in più dettagliu. A struttura è a struttura di FS-NGF senza trasferimentu di polimeri sò state carattarizate da l'imaghjini di microscopia elettronica à trasmissione (TEM) è l'analisi di u mudellu di diffrazione elettronica à area selezziunata (SAED). I risultati currispondenti sò mostrati in a Figura 5. L'imaghjini TEM planari à bassu ingrandimentu anu rivelatu a presenza di regioni NGF è FLG cù diverse caratteristiche di cuntrastu elettronicu, vale à dì zone più scure è più luminose, rispettivamente (Fig. 5a). U filmu in generale presenta una bona integrità meccanica è stabilità trà e diverse regioni di NGF è FLG, cù una bona sovrapposizione è senza danni o strappi, ciò chì hè statu ancu cunfirmatu da SEM (Figura 3) è studii TEM à altu ingrandimentu (Figura 5c-e). In particulare, in a Fig. a Figura 5d mostra a struttura di u ponte in a so parte più grande (a pusizione marcata da a freccia punteggiata nera in a Figura 5d), chì hè carattarizata da una forma triangolare è hè custituita da un stratu di grafene cù una larghezza di circa 51. A cumpusizione cù una spaziatura interplanare di 0,33 ± 0,01 nm hè ulteriormente ridutta à parechji strati di grafene in a regione più stretta (fine di a freccia nera solida in a Figura 5 d).
Imagine TEM planare di un campione di NiAG senza polimeri nantu à una griglia di rame à pizzo di carbone: (a, b) Imagine TEM à bassa ingrandimentu cumprese e regioni NGF è FLG, (ce) Imagine à alta ingrandimentu di varie regioni in u pannellu a è u pannellu b sò marcate cù frecce di u listessu culore. E frecce verdi in i pannelli a è c indicanu zone circulari di danni durante l'allineamentu di u fasciu. (f-i) In i pannelli da a à c, i mudelli SAED in diverse regioni sò indicati da cerchi blu, cianu, aranciu è rossi, rispettivamente.
A struttura di u nastru in a Figura 5c mostra (marcata cù una freccia rossa) l'orientazione verticale di i piani di u reticolo di grafite, chì pò esse duvuta à a furmazione di nanopieghe longu u film (inseritu in a Figura 5c) per via di un eccessu di tensione di taglio non compensata30,61,62. Sottu TEM à alta risoluzione, queste nanopieghe 30 mostranu una orientazione cristallografica diversa da u restu di a regione NGF; i piani basali di u reticolo di grafite sò orientati quasi verticalmente, invece di orizzontalmente cum'è u restu di u film (inseritu in a Figura 5c). In listessu modu, a regione FLG mostra occasionalmente pieghe lineari è strette in forma di banda (marcate da frecce blu), chì appariscenu à ingrandimenti bassi è medi in e Figure 5b, 5e, rispettivamente. L'inseritu in a Figura 5e cunfirma a presenza di strati di grafene à dui è trè strati in u settore FLG (distanza interplanare 0,33 ± 0,01 nm), chì hè in bon accordu cù i nostri risultati precedenti30. Inoltre, l'imagine SEM registrate di NGF senza polimeri trasferite nantu à griglie di rame cù filmi di carbone in pizzo (dopu avè realizatu misurazioni TEM in vista superiore) sò mostrate in a Figura SI9. A regione FLG ben suspesa (marcata cù una freccia blu) è a regione rotta in a Figura SI9f. A freccia blu (à u bordu di u NGF trasferitu) hè presentata intenzionalmente per dimustrà chì a regione FLG pò resiste à u prucessu di trasferimentu senza polimeru. In riassuntu, queste imagine cunfermanu chì u NGF parzialmente suspesu (cumprese a regione FLG) mantene l'integrità meccanica ancu dopu una manipulazione rigorosa è l'esposizione à un altu vuotu durante e misurazioni TEM è SEM (Figura SI9).
A causa di l'eccellente planarità di NGF (vede a Figura 5a), ùn hè micca difficiule d'orientà i fiocchi longu l'asse di u duminiu [0001] per analizà a struttura SAED. Sicondu u spessore lucale di u film è a so pusizione, parechje regioni d'interessu (12 punti) sò state identificate per studii di diffrazione elettronica. In e Figure 5a-c, quattru di queste regioni tipiche sò mostrate è marcate cù cerchi culurati (blu, cianu, aranciu è rossu codificati). Figure 2 è 3 per a modalità SAED. E Figure 5f è g sò state ottenute da a regione FLG mostrata in e Figure 5 è 5. Cum'è mostratu in e Figure 5b è c, rispettivamente. Anu una struttura esagonale simile à u grafene ritorto63. In particulare, a Figura 5f mostra trè mudelli sovrapposti cù a stessa orientazione di l'asse di zona [0001], ruotati di 10° è 20°, cum'è evidenziatu da a discrepanza angulare di e trè coppie di riflessioni (10-10). Similmente, a Figura 5g mostra dui mudelli esagonali sovrapposti rotati di 20°. Dui o trè gruppi di mudelli esagonali in a regione FLG ponu nasce da trè strati di grafene in u pianu o fora di u pianu 33 rotati l'unu in relazione à l'altru. In cuntrastu, i mudelli di diffrazione elettronica in a Figura 5h,i (currispondenti à a regione NGF mostrata in a Figura 5a) mostranu un unicu mudellu [0001] cù una intensità di diffrazione puntuale generale più alta, currispondente à un spessore di materiale più grande. Questi mudelli SAED currispondenu à una struttura grafitica più spessa è à un orientamentu intermediu chè FLG, cum'è dedottu da l'indice 64. A caratterizazione di e proprietà cristalline di NGF hà rivelatu a coesistenza di dui o trè cristalliti di grafite (o grafene) sovrapposti. Ciò chì hè particularmente degne di nota in a regione FLG hè chì i cristalliti anu un certu gradu di disorientazione in u pianu o fora di u pianu. Particelle/strati di grafite cù anguli di rotazione in u pianu di 17°, 22° è 25° sò stati digià signalati per NGF cultivatu nantu à filmi di Ni 64. I valori di l'angulu di rotazione osservati in questu studiu sò coerenti cù l'anguli di rotazione osservati prima (±1°) per u grafene BLG63 ritortu.
E proprietà elettriche di NGF/SiO2/Si sò state misurate à 300 K annantu à una superficia di 10 × 3 mm2. I valori di cuncentrazione di i purtatori d'elettroni, a mobilità è a cunduttività sò 1,6 × 1020 cm-3, 220 cm2 V-1 C-1 è 2000 S-cm-1, rispettivamente. I valori di mobilità è cunduttività di u nostru NGF sò simili à a grafite naturale2 è più alti di a grafite pirolitica altamente orientata dispunibule cummercialmente (prodotta à 3000 °C)29. I valori di cuncentrazione di i purtatori d'elettroni osservati sò dui ordini di grandezza più alti di quelli riportati recentemente (7,25 × 10 cm-3) per filmi di grafite di spessore micron preparati cù fogli di poliimmide à alta temperatura (3200 °C) 20.
Avemu ancu realizatu misurazioni di trasmittanza UV-visibile nantu à FS-NGF trasferitu à substrati di quarzu (Figura 6). U spettru risultante mostra una trasmittanza quasi costante di 62% in l'intervallu 350-800 nm, chì indica chì NGF hè traslucidu à a luce visibile. In fatti, u nome "KAUST" pò esse vistu in a fotografia digitale di u campione in a Figura 6b. Ancu s'è a struttura nanocristallina di NGF hè diversa da quella di SLG, u numeru di strati pò esse stimatu apprussimativamente aduprendu a regula di a perdita di trasmissione di 2,3% per stratu supplementu65. Sicondu sta relazione, u numeru di strati di grafene cù una perdita di trasmissione di 38% hè 21. L'NGF cresciutu hè custituitu principalmente da 300 strati di grafene, vale à dì circa 100 nm di spessore (Fig. 1, SI5 è SI7). Dunque, supponemu chì a trasparenza ottica osservata currisponde à e regioni FLG è MLG, postu chì sò distribuite in tuttu u film (Fig. 1, 3, 5 è 6c). In più di i dati strutturali sopra menzionati, a conductività è a trasparenza cunfermanu ancu l'alta qualità cristallina di l'NGF trasferitu.
(a) Misurazione di a trasmittanza UV-visibile, (b) trasferimentu tipicu di NGF nantu à u quarzu utilizendu un campione rappresentativu. (c) Schema di NGF (scatula scura) cù regioni FLG è MLG distribuite uniformemente marcate cum'è forme aleatorie grigie in tuttu u campione (vede Figura 1) (circa 0,1-3% di area per 100 μm2). E forme aleatorie è e so dimensioni in u diagrama sò solu à scopi illustrativi è ùn currispondenu micca à l'aree reali.
L'NGF traslucidu cresciutu per CVD hè statu prima trasferitu nantu à superfici di silicone nude è utilizatu in cellule solari15,16. L'efficienza di cunversione di putenza (PCE) risultante hè di 1,5%. Quessi NGF svolgenu parechje funzioni cum'è strati di cumposti attivi, vie di trasportu di carica è elettrodi trasparenti15,16. Tuttavia, u film di grafite ùn hè micca uniforme. Una ulteriore ottimizazione hè necessaria cuntrullendu attentamente a resistenza di u fogliu è a trasmittanza ottica di l'elettrodu di grafite, postu chì queste duie proprietà ghjocanu un rolu impurtante in a determinazione di u valore PCE di a cellula solare15,16. Tipicamente, i filmi di grafene sò 97,7% trasparenti à a luce visibile, ma anu una resistenza di u fogliu di 200-3000 ohm/sq.16. A resistenza superficiale di i filmi di grafene pò esse ridutta aumentendu u numeru di strati (trasferimentu multiplu di strati di grafene) è dopendu cù HNO3 (~30 Ohm/sq.)66. Tuttavia, stu prucessu richiede assai tempu è i diversi strati di trasferimentu ùn mantenenu micca sempre un bon cuntattu. U nostru NGF frontale hà proprietà cum'è a cunduttività 2000 S/cm, a resistenza di u fogliu di film 50 ohm/sq. è a trasparenza 62%, ciò chì ne face una alternativa valida per i canali cunduttivi o i contraelettrodi in e cellule solari15,16.
Ancu s'è a struttura è a chimica di a superficia di BS-NGF sò simili à FS-NGF, a so rugosità hè diversa ("Crescita di FS- è BS-NGF"). Prima, avemu utilizatu grafite di film ultra-sottile22 cum'è sensore di gas. Dunque, avemu testatu a fattibilità di l'usu di BS-NGF per i compiti di rilevamentu di gas (Figura SI10). Prima, porzioni di dimensioni mm2 di BS-NGF sò state trasferite nantu à u chip di u sensore di l'elettrodu interdigitante (Figura SI10a-c). I dettagli di fabricazione di u chip sò stati riportati prima; a so area sensibile attiva hè 9 mm267. In l'imaghjini SEM (Figura SI10b è c), l'elettrodu d'oru sottostante hè chjaramente visibile attraversu u NGF. Ancu una volta, si pò vede chì una copertura uniforme di u chip hè stata ottenuta per tutti i campioni. E misurazioni di u sensore di gas di vari gas sò state registrate (Fig. SI10d) (Fig. SI11) è i tassi di risposta risultanti sò mostrati in e Fig. SI10g. Probabilmente cù altri gas interferenti cumpresi SO2 (200 ppm), H2 (2%), CH4 (200 ppm), CO2 (2%), H2S (200 ppm) è NH3 (200 ppm). Una pussibile causa hè NO2. natura elettrofila di u gas22,68. Quandu hè adsorbitu nantu à a superficia di u grafene, riduce l'assorbimentu di corrente di l'elettroni da u sistema. Una paragone di i dati di u tempu di risposta di u sensore BS-NGF cù i sensori publicati prima hè presentata in a Tavula SI2. U mecanismu per riattivà i sensori NGF utilizendu plasma UV, plasma O3 o trattamentu termicu (50-150 ° C) di campioni esposti hè in corsu, idealmente seguitu da l'implementazione di sistemi integrati69.
Durante u prucessu CVD, a crescita di u grafene si faci da i dui lati di u sustratu di u catalizatore41. Tuttavia, u BS-grafene hè generalmente espulsu durante u prucessu di trasferimentu41. In questu studiu, dimustremu chì una crescita NGF di alta qualità è un trasferimentu NGF senza polimeri ponu esse ottenuti da i dui lati di u supportu di u catalizatore. U BS-NGF hè più finu (~80 nm) chè u FS-NGF (~100 nm), è sta differenza hè spiegata da u fattu chì u BS-Ni ùn hè micca direttamente espostu à u flussu di gas precursore. Avemu ancu trovu chì a rugosità di u sustratu NiAR influenza a rugosità di u NGF. Quessi risultati indicanu chì u FS-NGF planare cresciutu pò esse adupratu cum'è materiale precursore per u grafene (per metudu di esfoliazione70) o cum'è canale conduttivu in e cellule solari15,16. In cuntrastu, u BS-NGF serà adupratu per a rilevazione di gas (Fig. SI9) è forse per i sistemi di accumulazione di energia71,72 induve a so rugosità superficiale serà utile.
Cunsiderendu ciò chì hè statu dettu sopra, hè utile cumminà u travagliu attuale cù filmi di grafite publicati prima, cresciuti per CVD è aduprendu foglia di nichel. Cum'è si pò vede in a Tavula 2, e pressioni più alte chì avemu adupratu anu accurtatu u tempu di reazione (stadiu di crescita) ancu à temperature relativamente basse (in l'intervallu di 850-1300 °C). Avemu ancu ottenutu una crescita più grande di u solitu, ciò chì indica un putenziale di espansione. Ci sò altri fattori da cunsiderà, alcuni di i quali avemu inclusu in a tavula.
NGF di alta qualità à doppia faccia hè statu cultivatu nantu à una lamina di nichel per CVD cataliticu. Eliminendu i sustrati polimerichi tradiziunali (cum'è quelli utilizati in u grafene CVD), ottenemu un trasferimentu umitu pulitu è senza difetti di NGF (cresciutu nantu à i lati posteriore è anteriore di a lamina di nichel) à una varietà di sustrati critici per u prucessu. In particulare, NGF include regioni FLG è MLG (tipicamente da 0,1% à 3% per 100 µm2) chì sò strutturalmente ben integrate in u film più spesso. U TEM planare mostra chì queste regioni sò cumposte da pile di duie o trè particelle di grafite/grafene (cristalli o strati, rispettivamente), alcune di e quali anu una discrepanza rotazionale di 10-20°. E regioni FLG è MLG sò rispunsevuli di a trasparenza di FS-NGF à a luce visibile. In quantu à i fogli posteriori, ponu esse purtati paralleli à i fogli frontali è, cum'è mostratu, ponu avè un scopu funzionale (per esempiu, per a rilevazione di gas). Questi studii sò assai utili per riduce i rifiuti è i costi in i prucessi CVD à scala industriale.
In generale, u spessore mediu di CVD NGF si trova trà u grafene (à bassu è multistrato) è i fogli di grafite industriale (micrometricu). A gamma di e so proprietà interessanti, cumminata cù u metudu simplice chì avemu sviluppatu per a so pruduzzione è u so trasportu, rende questi filmi particularmente adatti per applicazioni chì richiedenu a risposta funzionale di a grafite, senza a spesa di i prucessi di pruduzzione industriale à alta intensità energetica attualmente utilizati.
Una lamina di nichel di 25 μm di spessore (purezza 99,5%, Goodfellow) hè stata installata in un reattore CVD cummerciale (Aixtron 4-inch BMPro). U sistema hè statu purgatu cù argon è evacuatu à una pressione di basa di 10-3 mbar. Dopu, a lamina di nichel hè stata piazzata in Ar/H2 (Dopu à a pre-ricottura di a lamina di Ni per 5 minuti, a lamina hè stata esposta à una pressione di 500 mbar à 900 °C). NGF hè statu depositatu in un flussu di CH4/H2 (100 cm3 ognunu) per 5 minuti. U campione hè statu poi raffreddato à una temperatura inferiore à 700 °C utilizendu un flussu di Ar (4000 cm3) à 40 °C/min. I dettagli nantu à l'ottimizazione di u prucessu di crescita di NGF sò descritti in altrò30.
A morfologia di a superficia di u campione hè stata visualizata da SEM cù un microscopiu Zeiss Merlin (1 kV, 50 pA). A rugosità di a superficia di u campione è u spessore di NGF sò stati misurati cù AFM (Dimension Icon SPM, Bruker). E misurazioni TEM è SAED sò state effettuate cù un microscopiu FEI Titan 80–300 Cubed equipatu cù una pistola à emissione di campu à alta luminosità (300 kV), un monocromatore di tipu FEI Wien è un currettore di aberrazione sferica à lente CEOS per ottene i risultati finali. Risoluzione spaziale 0,09 nm. I campioni NGF sò stati trasferiti à griglie di rame rivestite di pizzo di carbone per l'imaghjini TEM piane è l'analisi di a struttura SAED. Cusì, a maiò parte di i fiocchi di u campione sò suspesi in i pori di a membrana di supportu. I campioni NGF trasferiti sò stati analizzati da XRD. I mudelli di diffrazione di raggi X sò stati ottenuti aduprendu un diffrattometru à polvere (Brucker, cambiatore di fase D2 cù fonte Cu Kα, 1.5418 Å è detector LYNXEYE) aduprendu una fonte di radiazione Cu cù un diametru di u puntu di u fasciu di 3 mm.
Parechje misurazioni di punti Raman sò state registrate cù un microscopiu cunfocale integratore (Alpha 300 RA, WITeC). Un laser di 532 nm cù una bassa putenza d'eccitazione (25%) hè statu utilizatu per evità effetti indotti termicamente. A spettroscopia fotoelettronica à raggi X (XPS) hè stata realizata nantu à un spettrometru Kratos Axis Ultra nantu à una superficia di campione di 300 × 700 μm2 utilizendu a radiazione monocromatica Al Kα (hν = 1486,6 eV) à una putenza di 150 W. I spettri di risoluzione sò stati ottenuti à energie di trasmissione di 160 eV è 20 eV, rispettivamente. I campioni NGF trasferiti nantu à SiO2 sò stati tagliati in pezzi (3 × 10 mm2 ognunu) utilizendu un laser à fibra di itterbiu PLS6MW (1,06 μm) à 30 W. I cuntatti di filu di rame (50 μm di spessore) sò stati fabbricati utilizendu pasta d'argentu sottu à un microscopiu otticu. Esperimenti di trasportu elettricu è d'effettu Hall sò stati realizati nantu à sti campioni à 300 K è una variazione di u campu magneticu di ± 9 Tesla in un sistema di misurazione di e proprietà fisiche (PPMS EverCool-II, Quantum Design, USA). I spettri UV-vis trasmessi sò stati registrati cù un spettrofotometru Lambda 950 UV-vis in a gamma NGF 350-800 nm trasferiti à substrati di quarzu è campioni di riferimentu di quarzu.
U sensore di resistenza chimica (chip d'elettrodu interdigitatu) hè statu cablatu à una scheda di circuitu stampatu persunalizata 73 è a resistenza hè stata estratta transitoriamente. A scheda di circuitu stampatu nantu à a quale si trova u dispusitivu hè cunnessa à i terminali di cuntattu è piazzata in a camera di rilevamentu di gas 74. E misure di resistenza sò state pigliate à una tensione di 1 V cù una scansione cuntinua da a spurga à l'esposizione à u gas è dopu a spurga di novu. A camera hè stata inizialmente pulita spurgendu cù azotu à 200 cm3 per 1 ora per assicurà a rimuzione di tutti l'altri analiti presenti in a camera, cumprese l'umidità. I singoli analiti sò stati poi liberati lentamente in a camera à a stessa velocità di flussu di 200 cm3 chjudendu u cilindru N2.
Una versione rivista di questu articulu hè stata publicata è pò esse accessibile attraversu u ligame in cima di l'articulu.
Inagaki, M. è Kang, F. Scienza è ingegneria di i materiali di carbone: Fundamenti. Seconda edizione editata. 2014. 542.
Pearson, HO Manuale di Carboniu, Grafite, Diamante è Fullereni: Proprietà, Trasfurmazione è Applicazioni. A prima edizione hè stata editata. 1994, New Jersey.
Tsai, W. et al. Film di grafene/grafite multistratu di grande superficia cum'è elettrodi conduttivi sottili trasparenti. applicazione. fisica. Wright. 95(12), 123115(2009).
Balandin AA Proprietà termiche di u grafene è di i materiali di carbone nanostrutturati. Nat. Matt. 10(8), 569–581 (2011).
Cheng KY, Brown PW è Cahill DG Cunduttività termica di filmi di grafite cresciuti nantu à Ni (111) per deposizione chimica di vapore à bassa temperatura. avverbiu. Matt. Interface 3, 16 (2016).
Hesjedal, T. Crescita cuntinua di filmi di grafene per deposizione chimica di vapore. applicazione. fisica. Wright. 98(13), 133106(2011).
Data di publicazione: 23 d'aostu 2024