Viele Halbleiterprodukte benötigen im Produktionsprozess die Zugabe von Graphitpulver zur Leistungssteigerung. Bei der Verwendung in Halbleiterprodukten muss Graphitpulver von hoher Reinheit, feiner Körnung und hoher Temperaturbeständigkeit ausgewählt werden. Nur wenn diese Anforderungen erfüllt sind, kann Graphitpulver gleichzeitig in Halbleiterprodukten verwendet werden, ohne negative Auswirkungen zu haben. Im Folgenden werden die Bedingungen für die Verwendung von Graphitpulver in Halbleitern kurz erläutert.
Graphitpulver
1. Für die Halbleiterproduktion wird hochreines Graphitpulver benötigt.
Aufgrund der hohen Nachfrage nach Graphitpulvermaterialien in der Halbleiterindustrie ist eine möglichst hohe Reinheit erforderlich. Insbesondere Graphitkomponenten, die in direkten Kontakt mit dem Halbleitermaterial kommen, wie z. B. Sinterformen, können durch Verunreinigungen das Halbleitermaterial verunreinigen. Daher muss bei der Verwendung von Graphit nicht nur die Reinheit der Rohstoffe streng kontrolliert werden, sondern auch durch eine Hochtemperatur-Graphitisierungsbehandlung der Aschegehalt auf ein Minimum reduziert werden.
2. Für die Halbleiterproduktion wird Graphitpulver mit hoher Partikelgröße benötigt.
Für die Halbleiterindustrie werden Graphitmaterialien mit feiner Partikelgröße benötigt. Feinkörniger Graphit ermöglicht nicht nur eine einfache und präzise Bearbeitung, sondern auch eine hohe Festigkeit bei hohen Temperaturen und geringe Verluste, sondern ist insbesondere für Sinterformen, die eine hohe Bearbeitungsgenauigkeit erfordern, unerlässlich.
3. Für die Halbleiterproduktion wird die Verwendung von Hochtemperatur-Graphitpulver benötigt.
Da Graphitbauteile, die in der Halbleiterindustrie eingesetzt werden (einschließlich Heizelemente und Sinterformen), wiederholten Heiz- und Kühlprozessen standhalten müssen, um die Lebensdauer der Graphitbauteile zu verbessern, werden Graphitmaterialien verwendet, die bei hohen Temperaturen eine gute Dimensionsstabilität und thermische Schlagfestigkeit aufweisen.
Veröffentlichungsdatum: 26. November 2021