Каковы условия использования графитового порошка в полупроводниках?

В процессе производства многих полупроводниковых изделий необходимо добавлять графитовый порошок для улучшения их характеристик. При использовании в полупроводниковых изделиях графитовый порошок должен быть высокой чистоты, мелкозернистым, термостойким и соответствовать этим требованиям. Только при соблюдении этих требований полупроводниковые изделия не будут испытывать негативного воздействия. Ниже приведено описание условий использования графитового порошка в полупроводниковых изделиях.

Графитовый порошок

1. Для производства полупроводников необходимо выбирать графитовый порошок высокой чистоты.

В полупроводниковой промышленности существует высокий спрос на графитовый порошок, при этом чем выше его чистота, тем лучше. Особенно это касается графитовых компонентов, непосредственно контактирующих с полупроводниковыми материалами, например, в процессе спекания, где примеси загрязняют полупроводниковый материал. Поэтому при использовании графита необходимо не только строго контролировать чистоту сырья, но и проводить высокотемпературную графитизацию для минимизации содержания золы.

2. Для производства полупроводников необходимо выбирать графитовый порошок с высоким размером частиц.

Для полупроводниковой промышленности графитовые материалы требуют мелкодисперсного размера частиц. Мелкодисперсный графит не только обеспечивает высокую точность обработки, но и обладает высокой термостойкостью и малыми потерями, особенно при изготовлении спекаемых форм, где требуется высокая точность обработки.

3. Для производства полупроводников необходимо выбрать высокотемпературный графитовый порошок.

Поскольку графитовые устройства, используемые в полупроводниковой промышленности (включая нагреватели и кристаллы для спекания), должны выдерживать многократные процессы нагрева и охлаждения, для увеличения срока службы графитовых устройств используются графитовые материалы, обладающие хорошей размерной стабильностью и ударопрочностью при высоких температурах.


Дата публикации: 26 ноября 2021 г.