Во многие полупроводниковые изделия в процессе производства необходимо добавлять графитовый порошок для повышения производительности продукта. При использовании полупроводниковых изделий графитовый порошок должен выбирать модель с высокой чистотой, мелкой гранулярностью, высокой термостойкостью, только в соответствии с требованиями таких, может ли в то же время полупроводниковые изделия, не оказывать отрицательного эффекта, графитовый порошок в соответствии с приведенным ниже небольшим компенсатором для Вы говорите о том, при каких условиях использовать полупроводники?
Графитовый порошок
1. Для производства полупроводников необходимо выбирать графитовый порошок высокой чистоты.
Полупроводниковая промышленность имеет высокий спрос на графитовые порошковые материалы, чем выше чистота, тем лучше, особенно графитовые компоненты вступают в прямой контакт с полупроводниковым материалом, например, в спекательной форме, при загрязнении полупроводникового материала содержанием примесей, поэтому при использовании графита необходимо не только строго контролировать чистоту сырья, но и путем высокотемпературной графитизации сводить содержание золы к минимуму.
2. Для производства полупроводников необходимо выбирать графитовый порошок с высоким размером частиц.
Для полупроводниковой промышленности графитовый материал требует мелкодисперсного размера частиц, мелкодисперсный графит не только легко поддается обработке с высокой точностью, но и обладает высокой термостойкостью и малыми потерями, особенно для спекания в формах, требующих высокой точности обработки.
3. Для производства полупроводников необходимо выбирать высокотемпературный графитовый порошок.
Поскольку графитовые устройства, используемые в полупроводниковой промышленности (включая нагреватели и спекающие матрицы), должны выдерживать многократные процессы нагрева и охлаждения, для увеличения срока службы графитовых устройств используют графитовые материалы, которые при высоких температурах обладают хорошей размерной стабильностью и стойкостью к тепловым ударам.
Время публикации: 26 ноября 2021 г.